你應(yīng)該了解的氮化鎵充電器

傳統(tǒng)的普通充電器，它的基礎(chǔ)材料是硅，硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步逼近，硅的開發(fā)也到了一定的瓶頸，許多廠商開始努力尋找更合適的替代品。

加之隨著快充功率的增大，快充頭體積也就更大，攜帶起來非常不方便；一些大功率充電器長時間充電還容易引起充電頭發(fā)熱；因此，尋找新型的代替材料就更加迫切。

氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀的散熱性能也使內(nèi)部原件排布可以更加精密，最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。很明顯，氮化鎵就是我們要尋找的代替材料。

了解了各自的材質(zhì)特性，氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別也就不言而喻了，氮化鎵充電器同功率下體積更小，且散熱更優(yōu)秀，輕松實現(xiàn)小體積大功率。

既然氮化鎵這么好？為什么不早點用？

原因很簡單：之前氮化鎵技術(shù)不成熟，成本也相對更高！氮化鎵充電器最主要的成本來自于MOS功率芯片，昂貴的原材料直接導(dǎo)致了消費級GaN充電器價格偏高，目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進來，相信技術(shù)會越來越成熟，成本下降只是時間問題。

在充電協(xié)議上，GaN 充電頭目前以PD協(xié)議為主，對支持該協(xié)議的設(shè)備均能進行快充，在氮化鎵的加持下，相信智能手機的快充功率有望再創(chuàng)新高。